首页 > 电子元件分类 > 半导体 > 分离式半导体 > 晶体管 > MOSFET > SI4710CY

SI4710CY

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 SOIC-8 Narrow
数量：
 4599  
说明：
 MOSFET P-Ch Battery Disc
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
暂无电子元件图

SI4710CY PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：100
功率耗散：2.3 W
最小工作温度：- 25 C
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 85 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：18 mOhms
漏极连续电流：6 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是SI4710CY的详细信息，包括SI4710CY厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管   两极晶体管 - BJT    JFET   IGBT 晶体管   开关晶体管 - 偏压电阻器  

MOSFET最新产品：

  • IPLK60R360PFD7ATMA1
  • SQJ431AEP-T1_GE3
  • STD4N80K5
  • SIR873DP-T1-GE3
  • DMN6010SCTBQ-13
  • DMNH6010SCTBQ-13
  • IPI80N06S208AKSA2
  • STL22N60DM6
  • RJK0856DPB-00#J5
  • NVB260N65S3

    • 相近型号推荐

    • 暂无电子元件图

      Si4712-A-EVB

      射频开发工具 Si4712 Eval Board Use Si4713-A-EVB

    IC电子元件邮购步骤

    最新产品列表 IC