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SI4467DY

厂家：: Fairchild Semiconductor
封装：: SOIC-8 Narrow
数量：: 7713
说明：: MOSFET SO8 SINGLE PCH

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SI4467DY PDF参数资料

中文参数如下：

典型关闭延迟时间：300 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：24 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：70 S
下降时间：140 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：6.7 m Ohms
漏极连续电流：- 13.5 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Fairchild Semiconductor

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