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SI4464DY-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 8-SOIC
数量：: 2313
说明：: MOSFET 200V 2.2A 2.5W 240mohm @ 10V

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SI4464DY-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI4464DY-GE3
典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：2500
功率耗散：1.5 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8 Narrow
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：240 mOhms
漏极连续电流：1.7 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4464DY-T1-GE3的详细信息，包括SI4464DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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