SI4420DYTRPBF

厂家:
  International Rectifier
封装:
 8-SO
数量:
 3672  
说明:
 MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 9mOhms 52nC
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI4420DYTRPBF-8-SO图片

SI4420DYTRPBF PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

典型关闭延迟时间:55 ns
工厂包装数量:4000
上升时间:10 ns
功率耗散:2.5 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:52 nC
下降时间:47 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):13 mOhms
漏极连续电流:12.5 A
闸/源击穿电压:20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
制造商:International Rectifier

以上是SI4420DYTRPBF的详细信息,包括SI4420DYTRPBF厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • SI4421-A1-FT图片

    SI4421-A1-FT

    射频收发器 TRANSCEIVR EZRadio UNIVRSL ISM BAND FSK

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC