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SI4410DYTRPBF

厂家：: International Rectifier
封装：: 8-SO
数量：: 3537
说明：: MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 13.5mOhms 30nC

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：38 ns
工厂包装数量：4000
上升时间：7.7 ns
功率耗散：2.5 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：30 nC
下降时间：44 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOIC-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain Triple Source
电阻汲极/源极 RDS（导通）：20 mOhms
漏极连续电流：10 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：International Rectifier

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