SI4324DY-T1-GE3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 8-SOIC
数量:
 5679  
说明:
 MOSFET 30V 36A 7.8W 3.2mohm @ 10V
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SI4324DY-T1-GE3-8-SOIC图片

SI4324DY-T1-GE3 PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:

零件号别名:SI4324DY-GE3
典型关闭延迟时间:30 ns
工厂包装数量:2500
功率耗散:3.5 W
最小工作温度:- 55 C
包装形式:Reel
封装形式:SOIC-8 Narrow
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):3.2 mOhms
漏极连续电流:24 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI4324DY-T1-GE3的详细信息,包括SI4324DY-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

  • SI4330-B1-FM图片

    SI4330-B1-FM

    射频接收器 Si4330 EZradioPRO Transceiver (rev B1)

  • SI4330-V2-FM图片

    SI4330-V2-FM

    射频接收器 RECEIVER EZRadioPRO UNIVERSAL ISM BAND

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC