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SI3900DV-T1-GE3

厂家：
  Vishay/Siliconix
封装：
 6-TSOP
数量：
 378  
说明：
 MOSFET 20V 2.4A 1.15W 125mohm @ 4.5V
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SI3900DV-T1-GE3-6-TSOP图片

SI3900DV-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI3900DV-GE3
功率耗散：830 mW
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.125 Ohms
漏极连续电流：2 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI3900DV-T1-GE3的详细信息，包括SI3900DV-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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