SI3475DV-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
数量：: 117
说明：: MOSFET 200V 0.95A 3.2W 1.61ohm @ 10V

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SI3475DV-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI3475DV-GE3
典型关闭延迟时间：28 ns, 23 ns
工厂包装数量：3000
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：1.61 Ohms
漏极连续电流：0.75 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：200 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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