SI3477DV-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
数量：: 204
说明：: MOSFET -12V 17.5mOhm@4.5V 8A P-Ch G-III

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SI3477DV-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI3477DV-GE3
典型关闭延迟时间：65 nS
上升时间：10 nS
功率耗散：4.2 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：28.3 nC
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：30 S
下降时间：30 nS
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：17.5 mOhms at 4.5 V
漏极连续电流：- 8 A
闸/源击穿电压：+/- 10 V
汲极/源极击穿电压：- 12 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
制造商：Vishay

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