SI3464DV-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-TSOP
数量：: 788
说明：: MOSFET N-CH D-S 20V 6-TSOP

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SI3464DV-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点：标准型
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：24 毫欧 @ 7.5A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：8A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs：18nC @ 5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：1065pF @ 10V
功率 - 最大：3.6W
安装类型：表面贴装

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