SI3407DV-T1-E3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: 6-TSOP
数量：: 2394
说明：: MOSFET 20V 8.0A 4.2W 24mohm @ 4.5V

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SI3407DV-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI3407DV-E3
典型关闭延迟时间：65 ns, 53 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：11 ns, 62 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：39 ns, 38 ns
包装形式：Reel
封装形式：TSOP-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.024 Ohms
漏极连续电流：7.5 A
闸/源击穿电压：+/- 12 V
汲极/源极击穿电压：20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

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