SI3407DV-T1-E3

厂家:
  Vishay/Siliconix
封装:
 6-TSOP
数量:
 2394  
说明:
 MOSFET 20V 8.0A 4.2W 24mohm @ 4.5V
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SI3407DV-T1-E3 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:SI3407DV-E3
典型关闭延迟时间:65 ns, 53 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:11 ns, 62 ns
功率耗散:2 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:39 ns, 38 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSOP-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.024 Ohms
漏极连续电流:7.5 A
闸/源击穿电压:+/- 12 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:Vishay

以上是SI3407DV-T1-E3的详细信息,包括SI3407DV-T1-E3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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