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SI2308BDS-T1-GE3

厂家：: Vishay/Siliconix
封装：: SOT-23-3（TO-236）
数量：: 836
说明：: MOSFET 60V 2.3A 1.66W 156mohm @ 10V

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SI2308BDS-T1-GE3 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：SI2308BDS-GE3
典型关闭延迟时间：11 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：16 ns
功率耗散：1.09 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：16 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-23-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.156 Ohms
漏极连续电流：1.9 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI2308BDS-T1-GE3的详细信息，包括SI2308BDS-T1-GE3厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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