SEG10FGHM3/I

厂家：: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装：: DO-219AB（SMF）
数量：: 6633
说明：: DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB

一、本商品被浏览0次.

SEG10FGHM3/I PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：DO-219AB（SMF）
封装/外壳：DO-219AB
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：7.3pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：5 μA @ 400 V
反向恢复时间 (trr)：1.2 μs
速度：标准恢复 >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.1 V @ 700 mA
电流 - 平均整流 (Io)：1A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：400 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：Automotive, AEC-Q101
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是SEG10FGHM3/I的详细信息，包括SEG10FGHM3/I厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他二极管与整流器产品：

TVS二极管稳压二极管变容二极管桥式整流器整流器

肖特基二极管与整流器最新产品：