SEG10FG-M3/I

厂家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封装:
 DO-219AB(SMF)
数量:
 6588  
说明:
 DIODE GEN PURP 400V 1A DO219AB
扫一扫加微信询价 QQ咨询价格   在线询价
一、本商品被浏览0次.   
SEG10FG-M3/I-DO-219AB(SMF)图片

SEG10FG-M3/I PDF参数资料

PDF点击下载PDF参数资料
中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:DO-219AB(SMF)
封装/外壳:DO-219AB
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:7.3pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:5 μA @ 400 V
反向恢复时间 (trr):1.2 μs
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 700 mA
电流 - 平均整流 (Io):1A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):400 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR),剪切带(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是SEG10FG-M3/I的详细信息,包括SEG10FG-M3/I厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

相近型号推荐

IC电子元件邮购步骤

最新产品列表 IC