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SCTWA35N65G2VAG

厂家：: STMicroelectronics
封装：: TO-247 长引线
数量：: 5013
说明：: SICFET N-CH 650V 45A TO247

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中文参数如下：
：-55°C ~ 175°C（TJ）
功率耗散（最大值）：208W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：1370 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：+20V，-5V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：73 nC @ 20 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：72毫欧 @ 20A，20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：18V，20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：45A（Tc）
漏源电压（Vdss）：650 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：N 通道
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

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