SCT10N120H

厂家：: STMicroelectronics
封装：: H2Pak-2
数量：: 5004
说明：: SICFET N-CH 1200V 12A H2PAK-2

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SCT10N120H PDF参数资料

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中文参数如下：
：-55°C ~ 200°C（TJ）
功率耗散（最大值）：150W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：290 pF @ 400 V
Vgs（最大值）：+25V，-10V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：22 nC @ 20 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：690 毫欧 @ 6A，20V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：12A（Tc）
漏源电压（Vdss）：1200 V
技术：SiCFET（碳化硅）
FET 类型：N 通道
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：STMicroelectronics

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