SCS302APC9

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: -
数量：: 7155
说明：: DIODE SILICON CARBIDE 650V 2A

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SCS302APC9 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：-
封装/外壳：TO-220-2
安装类型：通孔
不同?Vr、F 时电容：110pF @ 1V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10.8 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr)：0 ns
速度：无恢复时间 > 500mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.5 V @ 2 A
电流 - 平均整流 (Io)：2A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：650 V
技术：SiC（Silicon Carbide）Schottky
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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