SCS308AHGC9

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TO-220ACP
数量:
 5913  
说明:
 DIODE SIL CARB 650V 8A TO220ACP
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SCS308AHGC9 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:TO-220ACP
封装/外壳:TO-220-2
安装类型:通孔
不同?Vr、F 时电容:400pF @ 1V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:40 μA @ 650 V
反向恢复时间 (trr):0 ns
速度:无恢复时间 > 500mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.5 V @ 8 A
电流 - 平均整流 (Io):8A
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技术:SiC(Silicon Carbide)Schottky
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

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