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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:420 ns
上升时间:100 ns
功率耗散:1.25 W
最小工作温度:- 55 C
栅极电荷 Qg:35 nC
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :8 S
下降时间:225 ns
包装形式:Reel
封装形式:TSMT-6
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain
电阻汲极/源极 RDS(导通):19 mOhms
漏极连续电流:- 5 A
闸/源击穿电压:10 V
汲极/源极击穿电压:- 12 V
晶体管极性:P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ROHM Semiconductor
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