RW1A020ZPT2R

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: 6-WEMT
数量：: 4005
说明：: MOSFET P-CH 12V 2A WEMT6

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中文参数如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金属氧化物
FET 特点：逻辑电平门
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：105 毫欧 @ 2A, 4.5V
漏极至源极电压(Vdss)：12V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：2A
Id 时的 Vgs(th)（最大）：1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs：6.5nC @ 4.5V
在 Vds 时的输入电容(Ciss) ：770pF @ 6V
功率 - 最大：700mW
安装类型：表面贴装

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