RSD200N10TL

厂家：: ROHM Semiconductor
封装：: CPT3
数量：: 6165
说明：: MOSFET Nch; 20W; 100V; 20A

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RSD200N10TL PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：128 ns
功率耗散：20 W
最小工作温度：- 55 C
包装形式：Reel
封装形式：CPT3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：52 mOhms
漏极连续电流：20 A
汲极/源极击穿电压：100 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

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