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RP1E090RPTR

厂家：
  ROHM Semiconductor
封装：
 MPT6
数量：
 8901  
说明：
 MOSFET Pch -30V -9A MOSFET
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RP1E090RPTR-MPT6图片

RP1E090RPTR PDF参数资料

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中文参数如下：

功率耗散：2 W
包装形式：Reel
封装形式：MPT-6
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
电阻汲极/源极 RDS（导通）：21 mOhms
漏极连续电流：9 A
汲极/源极击穿电压：- 30 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RP1E090RPTR的详细信息，包括RP1E090RPTR厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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