RGW60TS65HRC11

厂家:
  Rohm Semiconductor
封装:
 TO-247N
数量:
 459  
说明:
 IGBT TRNCH FIELD 650V 64A TO247N
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RGW60TS65HRC11 PDF参数资料

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中文参数如下:
封装封装/外壳:TO-247-3
安装类型:通孔
工作温度:-40°C ~ 175°C(TJ)
反向恢复时间 (trr):-
测试条件:400V,15A,10 欧姆,15V
25°C 时 Td(开/关)值:36ns/107ns
栅极电荷:84 nC
输入类型:标准
开关能量:-
功率 - 最大值:178 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)(最大值):1.9V @ 15V,30A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):64 A
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
IGBT 类型:沟槽型场截止
产品状态:在售
包装:-
系列:管件
品牌:Rohm Semiconductor

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