RGW80TK65GVC11

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-3PFM
数量：: 9189
说明：: IGBT TRNCH FIELD 650V 39A TO3PFM

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RGW80TK65GVC11 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装封装/外壳：TO-3PFM，SC-93-3
安装类型：通孔
工作温度：-40°C ~ 175°C（TJ）
反向恢复时间 (trr)：-
测试条件：400V，40A，10 欧姆，15V
25°C 时 Td（开/关）值：44ns/143ns
栅极电荷：110 nC
输入类型：标准
开关能量：760μJ（开），720μJ（关）
功率 - 最大值：81 W
不同?Vge、Ic 时?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，40A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)：160 A
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：39 A
电压 - 集射极击穿（最大值）：650 V
IGBT 类型：沟槽型场截止
产品状态：在售
包装：-
系列：管件
品牌：Rohm Semiconductor

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