RFP12N10L_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-220AB
数量:
 3123  
说明:
 MOSFET TO-220AB N-Ch Power
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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:100 ns
上升时间:70 ns
功率耗散:60 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:80 ns
包装形式:Tube
封装形式:TO-220AB
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.2 Ohms
漏极连续电流:12 A
闸/源击穿电压:+/- 10 V
汲极/源极击穿电压:100 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是RFP12N10L_Q的详细信息,包括RFP12N10L_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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