RFN10NS6STL

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: LPDS
数量：: 1791
说明：: DIODE GEN PURP 600V 10A LPDS

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：LPDS
封装/外壳：TO-263-3，D2Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 μA @ 600 V
反向恢复时间 (trr)：50 ns
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：1.55 V @ 10 A
电流 - 平均整流 (Io)：10A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：600 V
技术：标准
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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