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中文参数如下:
封装工作温度 - 结封装:DO-219AB(SMF)
封装/外壳:DO-219AB
安装类型:表面贴装型
不同?Vr、F 时电容:4pF @ 4V,1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏:10 μA @ 200 V
反向恢复时间 (trr):1.8 μs
速度:标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf):1.1 V @ 1 A
电流 - 平均整流 (Io):700mA
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值):200 V
技术:标准
产品状态:在售
包装:-
系列:卷带(TR)
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division
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