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RFD3055LE_Q

厂家：
  Fairchild Semiconductor
封装：
 IPAK
数量：
 2727  
说明：
 MOSFET TO-251AA N-Ch Power
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RFD3055LE_Q PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：22 ns
上升时间：105 ns
功率耗散：38 W
最小工作温度：- 55 C
下降时间：39 ns
包装形式：Tube
封装形式：IPAK
安装风格：Through Hole
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.107 Ohms
漏极连续电流：11 A
闸/源击穿电压：+/- 16 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：否
制造商：Fairchild Semiconductor

以上是RFD3055LE_Q的详细信息，包括RFD3055LE_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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