RFD14N05_Q

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 IPAK
数量:
 2637  
说明:
 MOSFET TO-251AA N-Ch Power
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RFD14N05_Q PDF参数资料

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中文参数如下:

典型关闭延迟时间:45 ns
上升时间:26 ns
功率耗散:48 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:17 ns
包装形式:Tube
封装形式:IPAK
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single
电阻汲极/源极 RDS(导通):0.1 Ohms
漏极连续电流:14 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:50 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:否
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是RFD14N05_Q的详细信息,包括RFD14N05_Q厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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