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RDN080N25FU6

厂家：
  ROHM Semiconductor
封装：
 TO-220-3 整包
数量：
 4419  
说明：
 MOSFET PWR MOSFET TR DRIVE VLT-4V
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RDN080N25FU6-TO-220-3 整包图片

RDN080N25FU6 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：500
功率耗散：35 W
栅极电荷 Qg：15 nC
包装形式：Bulk
封装形式：TO-220FN
安装风格：Through Hole
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.38 Ohms
漏极连续电流：8 A
汲极/源极击穿电压：250 V
RoHS：是
制造商：ROHM Semiconductor

以上是RDN080N25FU6的详细信息，包括RDN080N25FU6厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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