RBLQ20BGE10TL

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: TO-252GE
数量：: 2430
说明：: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 20A,

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RBLQ20BGE10TL PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：TO-252GE
封装/外壳：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：-
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：80 μA @ 100 V
反向恢复时间 (trr)：-
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：860 mV @ 20 A
电流 - 平均整流 (Io)：20A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技术：肖特基
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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