RBLQ2MM10TR

厂家：: Rohm Semiconductor
封装：: PMDU
数量：: 2088
说明：: TRENCH MOS STRUCTURE, 100V, 2A,

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RBLQ2MM10TR PDF参数资料

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中文参数如下：
封装工作温度 - 结封装：PMDU
封装/外壳：SOD-123F
安装类型：表面贴装型
不同?Vr、F 时电容：50pF @ 4V，1MHz
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏：10 μA @ 100 V
反向恢复时间 (trr)：-
速度：快速恢复 = 200mA（Io）
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)：770 mV @ 2 A
电流 - 平均整流 (Io)：2A
电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）：100 V
技术：肖特基
产品状态：在售
包装：-
系列：卷带（TR）,剪切带（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷带
品牌：Rohm Semiconductor

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