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R5009ANX

厂家：
  Rohm Semiconductor
封装：
 TO-220FM
数量：
 8856  
说明：
 MOSFET N-CH 500V 9A TO220
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R5009ANX PDF参数资料

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中文参数如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：50W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：650 pF @ 25 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值）：21 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：720 毫欧 @ 4.5A，10V
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：9A（Tc）
漏源电压（Vdss）：500 V
技术：MOSFET（金属氧化物）
FET 类型：N 通道
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：散装,散装
品牌：Rohm Semiconductor

以上是R5009ANX的详细信息，包括R5009ANX厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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