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中文参数如下:
响应率:0.55 A/W
功率耗散:250 mW
光电流:10 uA
噪声等效功率 - NEP:3.3E-14 W/sqrt Hz
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 40 C
最大工作温度:+ 125 C
暗电流:1 nA
封装形式:TO-18
半强度角度:40 deg
下降时间:12 ns
上升时间:12 ns
峰值波长:850 nm
最大暗电流:5 nA
反向电压:20 V
产品:PIN Photodiodes
制造商:Osram Opto Semiconductor
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