Q62702P3581

中文参数如下：

类型：Chip
上升时间：12 us, 15 us
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 125 C
下降时间：12 us, 15 us
封装形式：TO-18
最大暗电流：100 nA
最大功率耗散：220 mW
制造商：Osram Opto Semiconductor

以上是Q62702P3581的详细信息，包括Q62702P3581厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他光学传感器产品：

光电传感器   光电二极管   光学导航传感器   红外探测器   光电探测器-逻辑输出  

最新产品：

RNU1D391MDN1

PRMAP-26X

A3KM1CCQ12VDC1.6R

1000B-5009T

0538-073-B-2.5-11

PRS11R-415F-N103B1

DRP024V120W1BN

1422CE-XR/ID

GN3150-3EA3AH6E3

MF-RHT1000-2-14