Q62702P3581

中文参数如下：

类型：Chip
上升时间：12 us, 15 us
最小工作温度：- 40 C
最大工作温度：+ 125 C
下降时间：12 us, 15 us
封装形式：TO-18
最大暗电流：100 nA
最大功率耗散：220 mW
制造商：Osram Opto Semiconductor

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