PTAB182002TCV2R250XTMA1

厂家：: Infineon Technologies
封装：: H-49248H-4
数量：: 8865
说明：: IC RF FET LDMOS 190W H-49248H-4

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PTAB182002TCV2R250XTMA1 PDF参数资料

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中文参数如下：
封装：H-49248H-4
封装/外壳：H-49248H-4
安装类型：表面贴装型
电压 - 额定：65 V
功率 - 输出：29W
电流 - 测试：520 mA
噪声系数：-
额定电流（安培）：10μA
电压 - 测试：28 V
增益：14.8dB
频率：1.805GHz ~ 1.88GHz
配置：-
技术：LDMOS
产品状态：停产
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Infineon Technologies

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