PSMN6R0-30YL,115

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 LFPAK56,Power-SO8
数量:
 3219  
说明:
 MOSFET <=30V N CH TRENCHFET
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PSMN6R0-30YL,115 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:PSMN6R0-30YL T/R
典型关闭延迟时间:31 ns
工厂包装数量:1500
上升时间:43 ns
功率耗散:55 W
最小工作温度:- 55 C
下降时间:11 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-669 (LFPAK)
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 175 C
配置:Single Triple Source
电阻汲极/源极 RDS(导通):6 mOhms
漏极连续电流:79 A
闸/源击穿电压:+/- 20 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

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