PSMN2R0-60ES,127

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: I2PAK
数量：: 4052
说明：: MOSFET N-Ch 60V 2.2 mOhms

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PSMN2R0-60ES,127 PDF参数资料

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中文参数如下：

工厂包装数量：50
功率耗散：338 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：137 nC
包装形式：Tube
封装形式：TO-262-3
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：2.2 mOhms at 10 V
漏极连续电流：120 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
制造商：NXP

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