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中文参数如下:
工厂包装数量:2000
安装风格:Through Hole
最小工作温度:- 55 C
增益带宽产品fT:600 MHz (Min)
直流电流增益 hFE 最大值:20 at 3 mA at 1 V
包装形式:Ammo
封装形式:TO-92-3 Kinked Lead
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:20
功率耗散:350 mW
集电极连续电流:50 mA
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V
最大工作频率:600 MHz
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:射频双极小信号晶体管
制造商:Fairchild Semiconductor
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