中文参数如下:
工厂包装数量:3000
包装形式:Ammo
直流电流增益 hFE 最大值:20 at 3 mA at 1 V
封装形式:TO-92
安装风格:Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min:20 at 3 mA at 1 V
增益带宽产品fT:600 MHz
最大直流电集电极电流:0.05 A
发射极 - 基极电压 VEBO:3 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:15 V
集电极—基极电压 VCBO:30 V
晶体管极性:NPN
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:ROHM Semiconductor
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