PN4355_D26Z

厂家:
  Fairchild Semiconductor
封装:
 TO-92 Kinked Lead
数量:
 7227  
说明:
 两极晶体管 - BJT PNP Transistor General Purpose
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PN4355_D26Z-TO-92 Kinked Lead图片

PN4355_D26Z PDF参数资料

中文参数如下:

工厂包装数量:2000
包装形式:Reel
最小工作温度:- 55 C
最大功率耗散:625 mW
直流电流增益 hFE 最大值:400
集电极连续电流:0.8 A
封装形式:TO-92 Kinked Lead
安装风格:Through Hole
最大工作温度:+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min:100
最大直流电集电极电流:0.8 A
集电极—射极饱和电压:60 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO:60 V
集电极—基极电压 VCBO:60 V
晶体管极性:PNP
配置:Single
RoHS:是
产品种类:两极晶体管 - BJT
制造商:Fairchild Semiconductor

以上是PN4355_D26Z的详细信息,包括PN4355_D26Z厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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