PN4356

厂家：: Central Semiconductor
封装：: TO-92
数量：: 10143
说明：: 两极晶体管 - BJT PNP Gen Pur SW

一、本商品被浏览0次.

PN4356 PDF参数资料

点击下载PDF参数资料
中文参数如下：

工厂包装数量：2500
包装形式：Box
最大功率耗散：625 mW
集电极连续电流：0.45 A
封装形式：TO-92
安装风格：Through Hole
直流集电极/Base Gain hfe Min：50 at 10 mA at 10 V
增益带宽产品fT：100 MHz
集电极—射极饱和电压：80 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：80 V
集电极—基极电压 VCBO：80 V
晶体管极性：PNP
配置：Single
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：Central Semiconductor

以上是PN4356的详细信息，包括PN4356厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

其他晶体管产品：

达林顿晶体管 JFET IGBT 晶体管开关晶体管 - 偏压电阻器 IGBT 模块

两极晶体管 - BJT 最新产品：