PMGD8000LN,115

厂家:
  NXP Semiconductors
封装:
 6-TSSOP
数量:
 4005  
说明:
 MOSFET N-CH TRENCH DL 30V
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PMGD8000LN,115 PDF参数资料

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中文参数如下:

零件号别名:PMGD8000LN T/R
典型关闭延迟时间:15 ns
工厂包装数量:3000
上升时间:7 ns
功率耗散:200 mW
最小工作温度:- 55 C
下降时间:7 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-363
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):8000 mOhms at 4 V
漏极连续电流:0.125 A
闸/源击穿电压:+/- 15 V
汲极/源极击穿电压:30 V
晶体管极性:N-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:NXP

以上是PMGD8000LN,115的详细信息,包括PMGD8000LN,115厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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