PMGD8000LN,115

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: 6-TSSOP
数量：: 4005
说明：: MOSFET N-CH TRENCH DL 30V

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PMGD8000LN,115 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PMGD8000LN T/R
典型关闭延迟时间：15 ns
工厂包装数量：3000
上升时间：7 ns
功率耗散：200 mW
最小工作温度：- 55 C
下降时间：7 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-363
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual
电阻汲极/源极 RDS（导通）：8000 mOhms at 4 V
漏极连续电流：0.125 A
闸/源击穿电压：+/- 15 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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