PHN210,118

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: 8-SO
数量：: 4869
说明：: MOSFET TAPE13 MOSFET

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PHN210,118 PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：/T3 PHN210
典型关闭延迟时间：21 ns
工厂包装数量：2500
上升时间：8 ns
功率耗散：2 W
最小工作温度：- 65 C
下降时间：15 ns
包装形式：Reel
封装形式：SO-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.1 Ohms
漏极连续电流：3.4 A
闸/源击穿电压：+/- 20 V
汲极/源极击穿电压：30 V
晶体管极性：N-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：NXP

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