PEMT1 T/R

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-666
数量：: 8658
说明：: 两极晶体管 - BJT TRANS DOUBLE TAPE-7

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PEMT1 T/R PDF参数资料

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中文参数如下：

零件号别名：PEMT1,115
工厂包装数量：4000
包装形式：Reel
最小工作温度：- 65 C
最大功率耗散：200 mW
集电极连续电流：0.1 A
封装形式：SOT-666
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
直流集电极/Base Gain hfe Min：120 at 1 mA at 6 V
增益带宽产品fT：100 MHz
集电极—射极饱和电压：5 V
发射极 - 基极电压 VEBO：5 V
集电极—发射极最大电压 VCEO：40 V
集电极—基极电压 VCBO：50 V
晶体管极性：PNP
配置：Dual
RoHS：是
产品种类：两极晶体管 - BJT
制造商：NXP

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