PEMT1,315

厂家：: NXP Semiconductors
封装：: SOT-666
数量：: 5481
说明：: 两极晶体管 - BJT 40V 200mW 2xPNP gen purpose transist

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中文参数如下：
认证机构：
封装封装/外壳：SOT-563，SOT-666
安装类型：表面贴装型
工作温度：150°C（TJ）
频率 - 跃迁：100MHz
功率 - 最大值：300mW
不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：120 @ 1mA，6V
电流 - 集电极截止（最大值）：100nA（ICBO）
不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降（最大值）：200mV @ 5mA，50mA
电压 - 集射极击穿（最大值）：40V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：100mA
晶体管类型：2 PNP（双）
产品状态：不适用于新设计
包装：-
系列：卷带（TR）
品牌：Nexperia USA Inc.

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