NVMFS5C430NAFT3G

厂家:
  onsemi
封装:
 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
数量:
 2124  
说明:
 MOSFET N-CH 40V 35A/185A 5DFN
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NVMFS5C430NAFT3G PDF参数资料

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中文参数如下:
:-55°C ~ 175°C(TJ)
功率耗散(最大值):3.8W(Ta),106W(Tc)
FET 功能:-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):3300 pF @ 25 V
Vgs(最大值):±20V
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值):47 nC @ 10 V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):3.5V @ 250μA
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):1.7 毫欧 @ 50A,10V
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):10V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):35A(Ta),185A(Tc)
漏源电压(Vdss):40 V
技术:MOSFET(金属氧化物)
FET 类型:N 通道
产品状态:不适用于新设计
包装:Automotive, AEC-Q101
系列:卷带(TR)
品牌:onsemi

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