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NVF3055-100T1G

厂家：
  ON Semiconductor
封装：
 SOT-223（TO-261）
数量：
 7407  
说明：
 MOSFET NFET 60V 3A 0.100R
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NVF3055-100T1G-SOT-223（TO-261）图片

NVF3055-100T1G PDF参数资料

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中文参数如下：

上升时间：14 ns
功率耗散：2.1 W
最小工作温度：- 55 C
栅极电荷 Qg：10.6 nC
下降时间：13 ns
包装形式：Reel
封装形式：SOT-223
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 175 C
配置：Single
电阻汲极/源极 RDS（导通）：88 mOhms
漏极连续电流：3 A
闸/源击穿电压：20 V
汲极/源极击穿电压：60 V
晶体管极性：N-Channel
制造商：ON Semiconductor

以上是NVF3055-100T1G的详细信息，包括NVF3055-100T1G厂家代理联系方式、PDF参数资料、图片等信息!

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