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中文参数如下:
典型关闭延迟时间:142 ns, 196 ns
工厂包装数量:8000
上升时间:25.5 nd, 46 ns
功率耗散:200 mW
最小工作温度:- 55 C
正向跨导 gFS(最大值/最小值) :0.48 S, 0.35 S
下降时间:80 ns, 145 ns
包装形式:Reel
封装形式:SOT-963
安装风格:SMD/SMT
最大工作温度:+ 150 C
配置:Dual
电阻汲极/源极 RDS(导通):2.8 Ohms, 6 Ohms
漏极连续电流:220 mA, - 200 mA
闸/源击穿电压:+/- 8 V
汲极/源极击穿电压:20 V
晶体管极性:N and P-Channel
RoHS:是
产品种类:MOSFET
制造商:ON Semiconductor
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