NTTD1P02R2G

厂家：: ON Semiconductor
封装：: 8-MSOP
数量：: 576
说明：: MOSFET -20V -1.45A P-Channel

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NTTD1P02R2G PDF参数资料

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中文参数如下：

典型关闭延迟时间：30 ns
工厂包装数量：4000
上升时间：20 ns, 30 ns
功率耗散：0.5 W
最小工作温度：- 55 C
正向跨导 gFS（最大值/最小值）：2.5 S
下降时间：20 ns, 30 ns
包装形式：Reel
封装形式：Micro-8
安装风格：SMD/SMT
最大工作温度：+ 150 C
配置：Dual Dual Drain
电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.16 Ohms
漏极连续电流：- 1.45 A
闸/源击穿电压：+/- 8 V
汲极/源极击穿电压：- 20 V
晶体管极性：P-Channel
RoHS：是
产品种类：MOSFET
制造商：ON Semiconductor

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